參數(shù)資料
型號： STP12A60
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述： 雙向可控硅三極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 689K
代理商： STP12A60
Absolute Maximum Ratings
( T
J
= 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
Ratings
Units
V
DRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
600
V
I
T(RMS)
R.M.S On-State Current
T
C
= 100 °C
12
A
I
TSM
Surge On-State Current
One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,
Non-Repetitive
119/130
A
I
2
t
I
2
t
71
A
2
s
P
GM
Peak Gate Power Dissipation
5.0
W
P
G(AV)
Average Gate Power Dissipation
0.5
W
I
GM
Peak Gate Current
2.0
A
V
GM
Peak Gate Voltage
10
V
T
J
Operating Junction Temperature
- 40 ~ 125
°C
T
STG
Storage Temperature
- 40 ~ 150
°C
Mass
2.0
g
Feb, 2003. Rev. 2
Features
◆
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V
◆
R.M.S On-State Current ( I
T(RMS)
= 12 A )
◆
High Commutation dv/dt
General Description
This device is suitable for AC switching application, phase
control application such as fan speed and temperature mod-
ulation control, lighting control and static switching relay.
2.T2
3.Gate
1.T1
Symbol
○
○
○
TO-220
▼▲
1/5
STP12A60
SemiWell
Semiconductor
1
2
3
Bi-Directional Triode Thyristor
copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12NR20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
STP12NR20FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP12NB30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP12A80 制造商:SEMIWELL 制造商全稱:SEMIWELL 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STP12IE90F4 功能描述:功率驅(qū)動器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
STP12IE95F4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm
STP12N120K5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STP12N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*