參數(shù)資料
型號： STD29NF03LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第29A條（?。﹟對252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： STD29NF03LT4
3/10
STD29NF03L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s,duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V
15
200
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=24 V I
D
=29 A V
GS
=12V
22
3
4
30
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V
35
38
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
29
116
A
A
V
SD(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 29 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 29 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
38
30
1.6
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2N50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252
STD2NA50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251
STD2NA50T4 OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD2NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-251
STD2NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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