參數(shù)資料
型號(hào)： STD1NA60T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 1.6AI（四）|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： STD1NA60T4
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD1NA60
7/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STD25NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA
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參數(shù)描述
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STD1NB60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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