參數(shù)資料
型號： STD19NE06T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19A條（?。﹟對252AA
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 92K
代理商： STD19NE06T4
3/9
STD19NE06
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s,duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
18
95
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48V I
D
= 30A V
GS
= 10V
35
10
12
50
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 48 V
R
G
= 4.7
,
(Inductive Load, Figure 5)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10
41
60
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
19
76
A
A
V
SD(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 19 A
V
GS
= 0
1.2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 19 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
85
190
4.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD19NE06 N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET
STD1NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251
STD1NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
STD1NC70ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-252AA
STD25NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA
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