參數(shù)資料
型號(hào)： STD19NE06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： STD19NE06LT4
STD19NE06
6/9
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching TimesTest Circuits ForResistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD19NE06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
STD19NE06 N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET
STD1NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251
STD1NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
STD1NC70ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD19NE06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
STD1HN60K3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-ch,600V,6.4Ohm,1.2 A,DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
STD1HNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD1HNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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