型號: | STD19NE06L1 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 19A條(?。﹟對251AA |
文件頁數(shù): | 7/9頁 |
文件大?。?/td> | 92K |
代理商: | STD19NE06L1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STD19NE06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
STD19NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
STD19NE06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
STD19NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET |
STD1NA60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STD19NE06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
STD19NE06LT4 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STD19NE06T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
STD1HN60K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-ch,600V,6.4Ohm,1.2 A,DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET |
STD1HNC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET |