參數(shù)資料
型號(hào)： STD15NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? - 100V的通道- 0.073ohm - 15A條- 252低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 604/751頁
文件大小： 5531K
代理商： STD15NF10
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Samsung ASIC
5-63
STD150
DPSRAMR_HD
High-Density Dual-Port Synchronous Static RAM with Redundancy
Parameter Description
DPSRAMR_HD is the compiler that automatically generates symbol, netlist, timing model, power model and
layout according to the following parameters; Number of words(w), Number of bit per word(b) and Column
mux(y).
NOTE:
Capacity (w
×
b) => 16Kbits
Pin Descriptions
Pin Capacitance
(Unit = SL)
NOTE:
Each pin’s capacitance is exactly same regardless of available mux types.
Parameters
Ymux(y) = 4
128
2048
32
8
128
1
Ymux(y) = 8
256
4096
64
4
64
1
Ymux(y) = 16
512
8192
128
2
32
1
Ymux(y) = 32
1024
16384
256
1
16
1
Words (w)
Min
Max
Step
Min
Max
Step
Bpw (b)
Name
CK1
CK2
Type
Description
Clock
Clock input. CSN, WEN, A[] and DI[] are latched into the RAM on the rising
edge of CK. If CSN and WEN are low on the rising edge of CK, the RAM is in
write mode. If WEN is high on the rising edge of CK, the RAM is in read mode.
Upon the falling edge of CK, the RAM is in a precharge state.
Chip Enable Chip Enable input. The chip enable is active-low and is latched into the RAM
on the rising edge of CK. When CSN is low, the RAM is enabled for reading or
writing, depending on the state of WEN. When CSN is high, the RAM goes to
the standby mode and is disabled for reading or writing. DOUT remains previ-
ous data output.
Read/Write
Enable
the rising edge of CK. When WEN is low, data are written to the addressed
location and DOUT remains stable. When WEN is high, data from the
addressed word are present at DOUT.
Bit-Write
Enable
rising edge of CK. Each bit of BWEN[] enables/disables the write operation of
corresponding data bit. BWEN[i] corresponds to DI[i] in bit-write. If WEN and
BWEN[0] are low and BWEN[1] is high, DI[0] is written into the memory loca-
tion specified on A[], but DI[1] is not written.
Data Out-
put Enable
regardless of any inputs. When OEN is high, DOUT is disabled and goes to
high-impedance state.
Address
Address input bus. The address is latched into the RAM on the rising edge of
CK.
CSN1
CSN2
WEN1
WEN2
Read or write enable input. The read/write enable is latched into the RAM on
BWEN1[]
BWEN2[]
Bit-write enable input bus. The bit-write enable is latched into the RAM on the
OEN1
OEN2
Data output enable input. The data output enable is asynchronously operated
A1 []
A2 []
DI1 []
DI2 []
DOUT1 []
DOUT2 []
Data Input
Data input bus. Data are latched on the rising edge of CK. Data input is written
into the addressed location in write mode.
Data Output
Data output bus. Data output is valid after the rising edge of CK while the RAM
is in read mode. Data output remains previous data output while the RAM is in
write mode.
CK
11.34
CSN
3.27
WEN
3.27
OEN
3.34
A
BWEN
4.45
DI
4.45
DOUT
10.98
3.27
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD15N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD19NE06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD15NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD15NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET
STD15W 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:tyco electronics contents
STD15W0 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:tyco electronics contents
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