參數(shù)資料
型號： STD15N06L-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 15A條（?。﹟至251
文件頁數(shù)： 575/751頁
文件大?。?/td> 5531K
代理商： STD15N06L-1
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STD150
5-34
Samsung ASIC
SPSRAMR_HD
High-Density Single-Port Synchronous Static RAM with Redundancy
Reference Table
* For Ymux=16
(Typical process, 1.2V, 25
°
C, Output load=10SL, Input slope=0.2 ns, SA=0.5)
NOTES:
1.
2.
Standby power is measured on the condition that SPSRAMR_HD is deselected and only CK switches.
Static leakage current is measured on the condition that all input and output signals are stable.
Parameters
words
bpw
bank
Timing
(ns)
t
cyc
t
ckl
t
ckh
t
as
t
ah
t
cs
t
ch
t
ds
t
dh
t
ws
t
wh
t
bws
t
bwh
t
acc
t
da
t
dz
t
zd
t
od
Power
(
μ
W/MHz)
Power_read
Power_write
Power_standby
Static Leakage
(
μ
A)
Static_leakage
Area
(
μ
m)
Width
Height
4096
16
1
4096
32
1
4096
64
1
8192
16
1
8192
32
1
8192
64
1
16384
32
2
16384
64
2
2.20
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.56
0.01
0.34
0.01
0.58
0.01
1.97
1.55
0.15
0.25
0.28
2.23
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.55
0.01
0.34
0.01
0.57
0.01
1.99
1.56
0.16
0.26
0.30
2.28
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.53
0.01
0.34
0.01
0.55
0.01
2.04
1.57
0.17
0.27
0.35
2.71
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.56
0.01
0.34
0.01
0.58
0.01
2.50
2.06
0.15
0.25
0.28
2.74
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.55
0.01
0.34
0.01
0.57
0.01
2.52
2.07
0.16
0.26
0.30
2.80
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.53
0.01
0.34
0.01
0.55
0.01
2.57
2.09
0.17
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2.88
0.48
0.36
0.48
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0.54
0.01
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0.01
0.34
0.01
0.57
0.01
2.66
2.13
0.16
0.26
0.30
2.94
0.48
0.36
0.48
0.01
0.54
0.01
0.53
0.01
0.34
0.01
0.55
0.01
2.72
2.14
0.17
0.27
0.35
47.39
48.62
0.03
81.33
84.34
0.03
149.21
155.79
0.03
55.31
54.99
0.03
96.79
96.63
0.03
179.74
179.90
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24.948
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974.20
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1878.71
1567.22
1913.48
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PDF描述
STD15N06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15NF10 N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD19NE06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
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STD15N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STD15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
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