參數(shù)資料
型號： STD15N06-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 15A條（?。﹟至251
文件頁數(shù)： 536/751頁
文件大?。?/td> 5531K
代理商： STD15N06-1
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STD150
4-104
Samsung ASIC
PvOTyz_ABB
Analog Tri-state Output Buffers with Separate Bulk-Bias
Switching Characteristics
(Typical process, 25
°
C, 1.2V, 3.3V, t
R
/t
F
=0.11ns, CL: Capacitive Load[pF])
PHOT4_ABB
PHOT8_ABB
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
8.080
8.067
4.033
4.237
8.080
8.067
4.103
4.347
0.472
0.610
8.080
8.067
4.160
4.404
0.514
0.651
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.345 + 0.155*CL
0.383 + 0.154*CL
0.579 + 0.069*CL
0.505 + 0.075*CL
0.345 + 0.155*CL
0.383 + 0.154*CL
0.648 + 0.069*CL
0.613 + 0.075*CL
0.473 + 0.000*CL
0.610 + 0.000*CL
0.345 + 0.155*CL
0.383 + 0.154*CL
0.706 + 0.069*CL
0.670 + 0.075*CL
0.514 + 0.000*CL
0.651 + 0.000*CL
Group2*
0.362 + 0.154*CL
0.430 + 0.153*CL
0.594 + 0.069*CL
0.554 + 0.074*CL
0.362 + 0.154*CL
0.430 + 0.153*CL
0.664 + 0.069*CL
0.662 + 0.074*CL
0.472 + 0.000*CL
0.610 + 0.000*CL
0.362 + 0.154*CL
0.430 + 0.153*CL
0.721 + 0.069*CL
0.719 + 0.074*CL
0.514 + 0.000*CL
0.651 + 0.000*CL
Group3*
0.374 + 0.154*CL
0.453 + 0.152*CL
0.609 + 0.069*CL
0.601 + 0.073*CL
0.374 + 0.154*CL
0.453 + 0.152*CL
0.680 + 0.069*CL
0.710 + 0.073*CL
0.472 + 0.000*CL
0.610 + 0.000*CL
0.374 + 0.154*CL
0.453 + 0.152*CL
0.736 + 0.069*CL
0.767 + 0.073*CL
0.514 + 0.000*CL
0.651 + 0.000*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
TN to PAD
EN to PAD
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 50 =
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
4.102
4.100
2.414
2.407
4.102
4.100
2.484
2.510
0.537
0.850
4.102
4.100
2.541
2.567
0.580
0.890
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.248 + 0.077*CL
0.213 + 0.078*CL
0.672 + 0.035*CL
0.516 + 0.038*CL
0.248 + 0.077*CL
0.214 + 0.078*CL
0.742 + 0.035*CL
0.610 + 0.038*CL
0.538 + 0.000*CL
0.850 + 0.000*CL
0.248 + 0.077*CL
0.213 + 0.078*CL
0.799 + 0.035*CL
0.667 + 0.038*CL
0.580 + 0.000*CL
0.891 + 0.000*CL
Group2*
0.239 + 0.077*CL
0.241 + 0.077*CL
0.682 + 0.035*CL
0.530 + 0.038*CL
0.239 + 0.077*CL
0.241 + 0.077*CL
0.752 + 0.035*CL
0.629 + 0.038*CL
0.537 + 0.000*CL
0.850 + 0.000*CL
0.239 + 0.077*CL
0.241 + 0.077*CL
0.809 + 0.035*CL
0.686 + 0.038*CL
0.580 + 0.000*CL
0.890 + 0.000*CL
Group3*
0.240 + 0.077*CL
0.275 + 0.077*CL
0.691 + 0.035*CL
0.554 + 0.037*CL
0.240 + 0.077*CL
0.275 + 0.077*CL
0.761 + 0.035*CL
0.656 + 0.037*CL
0.537 + 0.000*CL
0.850 + 0.000*CL
0.240 + 0.077*CL
0.275 + 0.077*CL
0.818 + 0.035*CL
0.713 + 0.037*CL
0.580 + 0.000*CL
0.890 + 0.000*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
TN to PAD
EN to PAD
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 50 =
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PDF描述
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STD15N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15NF10 N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STD15N06LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
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STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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