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參數(shù)資料
| 型號： | STD130 |
| 英文描述： | STD130|Data Sheet |
| 中文描述： | STD130 |數(shù)據(jù)資料 |
| 文件頁數(shù)： | 799/878頁 |
| 文件大?。?/td> | 2617K |
| 代理商： | STD130 |
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STD130
5-196
Samsung ASIC
DPSRAM_LP
Low-Power Dual-Port Synchronous Static RAM
Application Notes
1.
Permitting over-the-cell routing. In chip-level layout, over-the-cell routing in DPSRAM_LP is permitted
for only Metal-5 and Metal-6 layers.
2.
Incoming power bus should be adjusted to guarantee NOT more than 10% voltage drop at typical-case
current levels.
3.
Power stripe should be tapped from both sides of DPSRAM_LP.
4.
Contention mode in same address access.
In DPSRAM_LP, simultaneous operation by both ports on the same memory address, as write/write,
write/read or read/write operation, causes a contention problem. Simultaneous operation is defined as a
state in which both ports are enabled, both address buses are equal at the rising edge of CK.
DPSRAM_LP has no scheme preventing the contention. Due to simultaneous operation, silicon will
behave unpredictably. A write operation cannot end and data appearing at outputs may not be valid.
Please refer to the timing diagrams if you want to avoid the contention mode between both ports. In
write/write operation, the data stored at the current address will be unpredictable. In write/read or
read/write operation, the read port is invalid while the write port is still valid. If you want to avoid the
contention mode, you have to give the value greater than tcc (clock-to-clock setup time). However,
simultaneous read/read is allowable without any restrictions.
5.
Power reduction during standby mode.
The standby power is measured on the condition that only CSN is disable mode and other signals are in
operation mode except that OEN is tied to low. If any of signals are activated while in standby mode, the
power will be consumed because the input switching activities are occurred by the signal transition.
Therefore, to reduce unnecessary power consumption, you should keep stable for all signals while in
standby mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD131 | STD131|Data Sheet |
| STD150 | STD150|Data Sheet |
| STD15N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251 |
| STD15N06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251 |
| STD15N06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD13003 | 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| STD13003D | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| STD13003L | 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| STD13003Q | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS |
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