參數(shù)資料
型號(hào): STD12NE06LT4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 12A條(丁)|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
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代理商: STD12NE06LT4
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
STD12N05/STD12N06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12NF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA
STD12NF06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA
STD12NF06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
STD12NF06 N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD130 STD130|Data Sheet
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD12NE06T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD12NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 12A DPAK
STD12NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD12NF06_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET
STD12NF06-1 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube