參數(shù)資料
型號： STB36NF06L
英文描述： FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150
中文描述： N溝道60V的- 0.032歐姆- 30A條D2PAK/TO-220 STRIPFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： STB36NF06L
5/8
STB36NF06L STP36NF06L
DIM.
mm.
TYP.
inch.
TYP.
MIN.
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
MAX.
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
MIN.
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
TYP.
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
8
0.315
10
10.4
0.394
0.409
8.5
0.334
4.88
15
1.27
1.4
2.4
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.4
0.015
0°
8°
0°
8°
D
2
PAK MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3N100XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR
STP3N50XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
STP3N60FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR
STP3N60XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR
STP3N80XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB36NF06LT4 功能描述:MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NM60ND 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel
STB37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB38N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*