參數(shù)資料
型號： STB36NF02LT4
元件分類： 熱敏電阻
英文描述： THERMISTOR PTC 6V 1.10A RESETABL
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 36A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 205K
代理商： STB36NF02LT4
STB36NF06L STP36NF06L
4/8
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For Resistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關PDF資料
PDF描述
STB36NF06L FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150
STP3N100XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR
STP3N50XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
STP3N60FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR
STP3N60XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB36NF03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 36A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB36NF03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NF06L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET
STB36NF06LT4 功能描述:MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*