參數(shù)資料
型號(hào)： STB22NE03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.034ohm - 22A條，263 STripFET]功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
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代理商： STB22NE03L
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
2.5
62.5
0.5
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 15 V)
22
A
E
AS
TBD
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
30
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
15 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 11 A
I
D
= 11 A
1
1.7
2.5
V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
0.034
0.049
0.05
0.06
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
22
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=11 A
7
13
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
680
160
60
pF
pF
pF
STB22NE03L
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB3NC60 N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB40NE03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
STB4NB50 N-Channel 500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STB4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET
STB4NB80 N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB22NM50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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