參數(shù)資料
型號： SSM6N7002FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
中文描述： 高速開關(guān)應(yīng)用模擬開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 163K
代理商： SSM6N7002FU
SSM6N7002FU
2004-05-07
3
ID - VDS
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
0.5
1
1.5
2
Drain-Source voltage VDS (V)
D
Common Source
Ta=25°C
VGS=2.3V
2.5
2.7
3.0
3.3
4.0
4.5
5
10
7
ID - VGS
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
1
2
3
4
5
Gate-Source voltage VGS (V)
D
Common Source
VDS=10V
Ta=100°C
25°C
-25°C
RDS(ON) - ID
0
1
2
3
4
5
10
100
1000
Drain current ID (mA)
Common Source
Ta=25°C
VGS=4.5V
5.0V
10V
RDS(ON) - VGS
0
1
2
3
4
5
0
2
Gate-Source voltage VGS (V)
4
6
8
10
Common Source
ID=100mA
Ta=100°C
25°C
-25°C
RDS(ON) - Ta
0
1
2
3
4
5
-25
0
25
50
75
100
125
150
Ambient temperature Ta (°C)
Common Source
VGS=4.5V,ID=100mA
5.0V,100mA
10V,500mA
Vth - Ta
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-25
0
25
50
75
100
125
150
Ambient temperature Ta (°C)
G
Common Source
ID=0.25mA
VDS=10V
D
)
D
)
D
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSM6P05FU Power Management Switch High Speed Switching Applications
SSM6P09FU High Speed Switching Applications
SSM6P15FE High Speed Switching Applications
SSM6P15FU Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.9 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35
SSM6P16FE Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 2.2 to 2.6; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35
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參數(shù)描述
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SSM6N7002FU(TE85LF) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V US6
SSM6N7002FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Applications
SSM6N7002FUTE85LF 功能描述:MOSFET SMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM6P05FU 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch
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