參數(shù)資料
型號： SSM6N09FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： High Speed Switching Applications
中文描述： 高速開關應用
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： SSM6N09FU
SSM6N09FU
2003-02-19
4
(Q
1
, Q2 common)
*
: Total rating
Ambient temperature Ta (°C)
V
th
– Ta
G
Drain-Source voltage VDS (V)
I
DR
– V
DS
D
Drain-Source voltage VDS (V)
C – V
DS
C
Drain current ID (mA)
t – I
D
S
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
*
– Ta
P
*
800
400
0
0
0.4
1
1.4
200
600
1000
Common Source
VGS 0
Ta 25°C
0.2
0.6
0.8
1.2
S
G
IDR
D
Mounted on FR4 board.
(25.4 mm 25.4 mm 1.6 t
0
100
200
0
160
100
60
20
80
40
120
300
400
140
1
0.1
10
1
100
10
100
500
Common Source
VGS 0 V
f 1 MHz
Ta 25°C
Coss
Crss
Ciss
10
100
1
10
1000
100
1000
5000
Common Source
VDD 5 V
VGS 0~4 V
Ta 25°C
toff
tf
ton
tr
2
1.8
1.2
0.8
0.4
0
25
0
25
75
100
150
1.6
1.4
1
0.6
0.2
50
125
Common Source
ID 0.1 mA
VDS 5 V
相關PDF資料
PDF描述
SSM6N15FE High Speed Switching Applications
SSM6N15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N16FE High Speed Switching Applications Analog Switching Applications
SSM6N16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
SSM6N17FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
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參數(shù)描述
SSM6N09FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Applications
SSM6N15AFE 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Load Switching Applications
SSM6N15AFE,LM 功能描述:MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM6N15AFE,LM(T 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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