參數(shù)資料
型號(hào)： SSM6L09FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅N / P系列頻道馬鞍山類型
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 203K
代理商： SSM6L09FU
SSM6L09FU
2003-02-19
7
Q2 (Pch MOS FET)
Q1, Q2 common
*
: Total rating
Ambient temperature Ta (°C)
V
th
– Ta
G
Drain-Source voltage VDS (V)
I
DR
– V
DS
D
Drain-Source voltage VDS (V)
C – V
DS
C
Drain current ID (mA)
t – I
D
S
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
*
– Ta
P
*
400
200
0
0
0.4
1
1.4
100
300
500
Common Source
VGS 0
Ta 25°C
0.2
0.6
0.8
1.2
S
G
IDR
D
Mounted on FR4 board
(25.4 mm 25.4 mm 1.6 t
0
100
200
0
160
100
60
20
80
40
120
300
400
140
1
10
0.1
1
100
10
100
500
Common Source
VGS 0 V
f 1 MHz
Ta 25°C
Coss
Crss
Ciss
10
100
1
10
1000
100
1000
5000
Common Source
VDD 5 V
VGS 0~ 4 V
Ta 25°C
toff
tf
ton
tr
2
1.8
1.2
0.8
0.4
0
25
0
25
75
100
150
1.6
1.4
1
0.6
0.2
Common Source
ID 0.1 mA
VDS 5 V
50
125
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