參數資料
型號： SSM6K08FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： CategoryTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Category
中文描述： CategoryTOSHIBA場效應晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSII）/分類
文件頁數： 3/6頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： SSM6K08FU
SSM6K08FU
2002-01-24
3
D
R
D
R
Drain-Source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
I
D
– V
GS
D
Drain current ID (A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
Ambient temperature Ta (°C)
Gate-Source voltage VGS (V)
Gate-Source voltage VGS (V)
R
DS (ON)
– V
GS
Drain-Source voltage VDS (V)
I
DR
– V
DS
D
0
100
200
25
150
100
50
0
75
25
125
300
400
VGS 2.0 V
2.5 V
4 V
ID 0.8 A
Common Source
3
2
0
0
0.5
1
1.5
2
1
4
Common Source
Ta 25°C
4 V 2.5 V
1.7 V
1.6 V
1.5 V
1.4 V
VGS 1.3 V
2.0 V
Ta 100°C
25°C
25°C
VDS 3 V
Common Source
100
10000
10
1000
1
0.1
0.01
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
200
0
120
80
40
0
160
1
2
3
2.5 V
4.0 V
Common Source
Ta 25°C
VGS 2.0 V
R
DS (ON)
– Ta
0
0
2
4
6
10
12
8
100
200
300
400
ID 0.8 A
Common Source
Ta 100°C
25°C
25°C
0
1
2
0
1.2
0.6
0.2
0.8
0.4
1.0
3
4
Common Source
VGS 0
Ta 25°C
G
D
S
I
DR
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