參數(shù)資料
型號: SSM6E01TU
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Load Switch Applications
中文描述: 負載開關應用
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 179K
代理商: SSM6E01TU
SSM6E01TU
2003-01-16
7
Q2 (Nch MOSFET)
F
Y
f
D
D
Drain-Source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-Source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
(low-voltage area)
D
D
Drain-Source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Gate-Source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
Drain current I
D
(mA)
Y
fs
– I
D
Drain-Source voltage V
DS
(V)
C – V
DS
C
Common source
VDS 3 V
Ta 25°C
5
1
300
100
3
5
10
30
50
10
30
50
100
Common source
VGS 0
f 1 MHz
Ta 25°C
100
1
0.1
30
Ciss
Coss
Crss
0.3
1
3
10
3
5
10
30
50
Common source
VDS 3 V
1000
0.01
0
3
25°C
25°C
Ta 100°C
0.5
1
1.5
2
2.5
0.1
1
10
100
100
0
0
Common source
Ta 25°C
1.8
4.0
VGS 1.4 V
1.6
2.2
2.0
2.5
20
40
60
80
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
Common source
Ta 25°C
1.8
1.9
VGS 1.4 V
100
1.6
1.7
2.0
2.5
2
4
6
8
10
20
40
60
80
0.01
0
100
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
Common source
VGS 0
Ta 25°C
IDR
D
G
S
相關PDF資料
PDF描述
SSM6J06FU Power Management Switch High Speed Switching Applications
SSM6J07FU TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM6J08FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)
SSM6J205FE High-Speed Switching Applications
SSM6J206FE Power Management Switch Applications
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SSM6E01TU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Load Switch Applications
SSM6E03TU(5RSONY,E 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:DISCRETE
SSM6J06FU 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 6Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM6J06FU(TE85L,F) 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-1.1A 6Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM6J06FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch