參數(shù)資料
型號： SPP80N06S2L-07
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： SPP80N06S2L-07
2000-04-20
Page 7
SPP80N06S2L-07
SPB80N06S2L-07
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
50
75
100
125
°C
175
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
mJ
450
E
A
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
SPP80N06S2L-07
0
20
40
60
80
100
120
nC
150
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
SPP80N06S2L-07
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
50
52
54
56
58
60
62
64
V
66
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N06S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS型功率晶體管)
SPB80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS型功率晶體管)
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參數(shù)描述
SPP80N06S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
SPP80N06S2L07NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2L-09 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N06S2L09NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2L11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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