參數(shù)資料
型號： SPP80N06S2L-07
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： SPP80N06S2L-07
2000-04-20
Page 6
SPP80N06S2L-07
SPB80N06S2L-07
Preliminary data
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 60 A,
V
GS
= 10 V
SPP80N06S2L-07
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
m
26
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 150 μA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
2.4
V
G
98 %
typ.
2 %
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP80N06S2L-07
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N06S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS型功率晶體管)
SPB80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor( MOS型功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N06S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
SPP80N06S2L07NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2L-09 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N06S2L09NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2L11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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