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參數(shù)資料
| 型號： | SPP80N06S2-08 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | SPP80N06S2-08 |
2000-04-20
Page 5
SPP80N06S2-08
SPB80N06S2-08
Preliminary data
Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N06S2-08
P
tot
= 215W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
V
GS [V]
a
a
4.5
b
b
4.8
c
c
5.0
d
d
5.2
e
e
5.5
f
f
5.8
g
g
6.0
h
h
6.5
i
i
10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N06S2-08
0
20
40
60
80
100
A
I
D
130
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
m
26
R
D
V
GS
[V] =
d
5.2
d
e
e
5.5
f
f
5.8
g
g
6.0
h
h
6.5
i
i
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
6
V
V
GS
8
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
A
110
I
D
0
10
20
30
40
50
60
S
80
g
f
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB80N06S2-08 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| SPP80N06S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| SPB80N06S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| SPP80N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| SPB80N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPP80N06S209 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SPP80N06S2-09 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPP80N06S209NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP80N06S2-H5 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPP80N06S2H5NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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