參數(shù)資料
型號(hào)： SPP80N04S2-H4
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： SPP80N04S2-H4
2003-05-08
Page 5
SPP80N04S2L-03
SPB80N04S2L-03
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
SPP80N04S2L-03
P
tot
= 300W
I
D
V
GS [V]
a
a
2.8
b
b
3.0
c
c
3.2
d
d
3.5
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N04S2L-03
0
20
40
60
80
100 120 140
A
I
D
180
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
m
12
R
D
V
GS
[V] =
c
3.2
c
d
d
3.5
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
V
6
V
GS
0
40
80
120
160
200
240
A
320
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
40
80
120
160
A
220
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
S
220
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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參數(shù)描述
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SPP80N04S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2L03NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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