參數(shù)資料
型號： SPP35N10
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power-Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 480K
代理商： SPP35N10
2002-01-31
Page 5
Preliminary data
SPI35N10
SPP35N10,SPB35N10
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
6
V
V
DS
8
0
10
20
30
40
50
60
70
A
90
I
D
a
b
c
d
e
VGS[V]=
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
I
D
100
0
100
200
300
m
500
R
D
V
GS
[V]=
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
e
b
c
d
a
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
2
3
4
5
V
7
V
GS
0
10
20
30
40
A
60
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
S
24
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB35N10 Multi-Color LED; LED Color:Yellow/Green; Luminous Intensity:20mcd; Viewing Angle:104 ; Forward Current:25mA; Forward Voltage:2.2V; Operating Temperature Range:-25 C to +80 C; Color:Yellow/Green; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
SPI80N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N03S2L-04 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP35R00J 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 5 OHM 5% 3W RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
SPP-3-5R0-JLF 制造商:IRC 功能描述:Resistor;Wirewound;5.0 Ohm;5%;600V
SPP3E6CD 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:PATCH PANEL 1U FOR 6 SC DUPLEX
SPP3R100J 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .1 OHM 5% 3W RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
SPP42N03S2L13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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