參數(shù)資料
型號(hào)： SPP15P10P
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Small-Signal-Transistor
中文描述： SIPMOS小信號(hào)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： SPP15P10P
2002-07-26
Page 6
Preliminary data
SPP15P10P
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= -10.6 A,
V
GS
= -10 V
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.75
SPP15P10P
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
180
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
5.2
2%
typ.
98%
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0,
f
=1 MHz,
T
j = 25 °C
4
10
0
4
8
12
16
20
24
28
V
-
V
DS
36
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
oss
C
iss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j
2
-10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-2.4
V
-3
V
SD
-1
-10
0
-10
1
-10
A
SPP15P10P
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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