參數(shù)資料
型號(hào)： SPP100N04S2-04
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： SPP100N04S2-04
2003-05-08
Page 7
SPP100N04S2L-03
SPB100N04S2L-03
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 100 A pulsed
0
40
80
120
160
200
nC
260
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP100N04S2L-03
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
V
48
SPP100N04S2L-03
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB100N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N06S2L-05 Silver Mica Capacitor; Capacitance:15pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Series:CD6; Voltage Rating:500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:4.4mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
SPB100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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