參數(shù)資料
型號(hào)： SPP100N03S2L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 417K
代理商： SPP100N03S2L-03
2003-05-09
Page 2
SPI100N03S2L-03
SPP100N03S2L-03,SPB100N03S2L-03
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
0.3
0.5
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
-
-
62
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
3)
-
-
-
62
40
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 250 μA
Zero gate voltage drain current
V
(BR)DSS
30
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
Gate-source leakage current
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
Drain-source on-state resistance
I
GSS
-
1
100
nA
V
GS
=4.5V,
I
D
=80A
V
GS
=4.5V,
I
D
=80A, SMD version
R
DS(on)
-
-
2.8
2.5
3.7
3.4
m
Drain-source on-state resistance
V
GS
=10V,
I
D
=80A
V
GS
=10V,
I
D
=80A, SMD version
R
DS(on)
-
-
2.2
1.9
3
2.7
1Current limited by bondwire ; with an
R
thJC
= 0.5K/W the chip is able to carry
I
D
= 245A at 25°C, for detailed
information see app.-note ANPS071E available at
www.infineon.com/optimos
2Defined by design. Not subject to production test.
3Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI11N60S5 Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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參數(shù)描述
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