參數(shù)資料
型號(hào)： SPP100N03S2-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 417K
代理商： SPP100N03S2-03
2003-05-09
Page 6
SPI100N03S2L-03
SPP100N03S2L-03,SPB100N03S2L-03
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
SPP100N03S2L-03
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
7
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
V
2.5
V
G
250
μ
A
1.25 mA
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP100N03S2L-03
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI11N60S5 Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPI35N10 Multi-Color LED; LED Color:Yellow/Green; Luminous Intensity:16mcd; Viewing Angle:120 ; Forward Current:30mA; Forward Voltage:2.1V; Operating Temperature Range:-55 C to ? C; Color:Yellow/Green; Input Current:20mA RoHS Compliant: No
SPP35N10 SIPMOS Power-Transistor
SPB35N10 Multi-Color LED; LED Color:Yellow/Green; Luminous Intensity:20mcd; Viewing Angle:104 ; Forward Current:25mA; Forward Voltage:2.2V; Operating Temperature Range:-25 C to +80 C; Color:Yellow/Green; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
SPP100N03S2L03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N03S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N03S2L03XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP100N04S2-04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N04S204NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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