參數(shù)資料
型號： SPD30N03L
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： SPD30N03L
7
Semiconductor Group
SPD30N03L
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
= f (T
j
)
parameter : I
D
= 30 A, V
GS
= 4.5 V
SPD30N03L
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
0.050
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter : V
GS
= V
DS
, I
D
= 80 μA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
3.0
V
G
min
typ
max
Typ. capacitances
C = f (V
DS
)
parameter: V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T
j
, t
p
= 80 μs
SPD30N03L
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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