參數(shù)資料
型號： SPD30N03L
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： SPD30N03L
4
Semiconductor Group
SPD30N03L
Electrical Characteristics
, at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
Gate to drain charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
Gate charge total
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
6
nC
4
Q
gs
-
-
21
Q
gd
31.5
-
54
80
Q
g
V
(plateau)
3.31
-
V
-
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 60 A
Reverse recovery time
V
R
= 15 V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
I
S
-
-
30
A
I
SM
-
-
120
V
SD
-
0.97
V
1.7
t
rr
-
45
ns
68
Q
rr
-
μC
0.045
0.068
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PDF描述
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