參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N03L
廠(chǎng)商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： SPD30N03L
2
Semiconductor Group
SPD30N03L
Thermal Characteristics
Parameter
Values
typ.
Symbol
Unit
max.
min.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient, leded
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
-
-
1.25
100
75
50
K/W
-
-
Electrical Characteristics
, at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Unit
Values
typ.
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 80 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 30 A
-
V
(BR)DSS
30
-
V
V
GS(th)
2
1.6
1.2
-
I
DSS
μA
1
100
0.1
-
I
GSS
-
10
nA
100
R
DS(on)
-
-
0.013
0.0076
0.018
0.012
1
Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SPD30N03S2L-07G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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