參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N03L
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 96K
代理商： SPD30N03L
1
Semiconductor Group
SPD30N03L
SIPMOS
Power Transistor
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
30
V
DS
R
DS(on)
I
D
V
A
0.012
30
Features
N channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
dvdt rated
175°C operating temperature
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Packaging
Tape and Reel
Tube
Type
SPD30N03L
SPU30N03L
Package
P-TO252
P-TO251-3-1
Ordering Code
Q67040-S4148-A2
Q67040-S4149-A2
Maximum Ratings
, at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
limited by bond wire
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 30 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dvdt
I
S
= 46 A,
V
DS
= 24 V,
didt
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Unit
A
Value
30
30
I
D
I
Dpulse
120
mJ
E
AS
250
12
6
kV/μs
E
AR
dvdt
V
GS
P
tot
±20
120
V
W
T
j ,
T
stg
°C
-55... +175
55/175/56
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPU30N03S2-08 OptiMOS Power-Transistor
SPU30N03S2L-10 OptiMOS Power-Transistor
SPU30P06P SIPMOS Power-Transistor
SPD30P06P SIPMOS Power-Transistor
SPUSB1AJT TVS Diode Arrays - Upstream USB Port Terminator with ESD Suppression & EMI Filtering
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參數(shù)描述
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SPD30N03S2L-07 G 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-07_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
SPD30N03S2L-07G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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