參數(shù)資料
型號： SPB80N06S2L-09
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 415K
代理商： SPB80N06S2L-09
2003-05-09
Page 3
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
76
152
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
5700
1330
7530 pF
1760
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
-
-
360
25
540
38
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
R
G
=1.3
ns
Rise time
-
93
140
Turn-off delay time
Fall time
-
-
67
90
100
135
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
-
19
60
25
90
nC
Gate charge total
V
DD
=44V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
-
170
230
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
3.3
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
320
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
0.9
1.3
V
V
R
=30V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
65
125
80
160
ns
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N06S2L-11 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2L-H5 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-05 2.00mm Pitch DIL Female Crimp Housing, 10+10-way
SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB80N06S2L-11 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N06S2L11NT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SPB80N06S2L-H5 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N06SL-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SPB80N06SL2-7 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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