參數(shù)資料
型號： SPB80N06S2L-07
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： SPB80N06S2L-07
2000-04-20
Page 2
SPP80N06S2L-07
SPB80N06S2L-07
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
62
62
40
K/W
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 150 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 60 A
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 60 A
V
(BR)DSS
55
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
I
GSS
-
1
100
nA
R
DS(on)
-
6.7
10
m
R
DS(on)
-
5.3
7
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
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PDF描述
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