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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPB80N06S2-05 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | SPB80N06S2-05 |
2000-04-20
Page 7
SPP80N06S2-05
SPB80N06S2-05
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
900
E
A
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
SPP80N06S2-05
0
20
40
60
80
100
120 140
nC
180
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
SPP80N06S2-05
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
50
52
54
56
58
60
62
64
V
66
V
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP80N06S2-08 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
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| SPP80N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SPB80N06S207NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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| SPB80N06S2-H5 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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