參數(shù)資料
型號： SPB80N06S2-05
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 415K
代理商： SPB80N06S2-05
2003-05-09
Page 7
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
0
40
80
120
160
200
nC
260
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP80N06S2L-05
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
50
52
54
56
58
60
62
V
66
SPP80N06S2L-05
V
(
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PDF描述
SPI80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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