參數(shù)資料
型號(hào)： SPB70N10L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power-Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 514K
代理商： SPB70N10L
2001-08-24
Page 3
Preliminary data
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=50A
30
65
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
3630
4540
pF
-
640
800
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
-
345
430
V
DD
=50V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=70A,
R
G
=1.3
-
70
105
ns
-
250
375
Turn-off delay time
Fall time
-
250
375
-
95
145
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=70A
-
10
15
nC
-
34
51
Gate charge total
V
DD
=80V,
I
D
=70A,
V
GS
=0 to 10V
-
160
240
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=80V,
I
D
=70A
-
3.22
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
70
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
280
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=140A
-
1.2
1.8
V
V
R
=50V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
100
150
ns
-
600
900
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI70N10L SIPMOS Power-Transistor
SPP70N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10 S-FET technology 100-V MOS transistors( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB70N10L-E3045A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
SPB73N03S2L-08 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08G 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 73A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB73N03S2L08T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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