參數(shù)資料
型號： SPB70N10L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power-Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 514K
代理商： SPB70N10L
2001-08-24
Page 1
Preliminary data
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
SIPMOS
=
Power-Transistor
Feature
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
V
16
m
70
A
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
Marking
70N10L
70N10L
70N10L
Type
SPP70N10L
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67040-S4175
SPB70N10L
P-TO263-3-2
Q67040-S4170
SPI70N10L
P-TO262-3-1
Q67060-S7428
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
I
D
70
50
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
280
I
D
=70 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
700
mJ
E
AR
d
v
/d
t
25
I
S
=70A,
V
DS
=0V,
d
i
/d
t
=200A/μs
Gate source voltage
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
250
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI70N10L SIPMOS Power-Transistor
SPP70N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10 S-FET technology 100-V MOS transistors( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB70N10L-E3045A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
SPB73N03S2L-08 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08G 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 73A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB73N03S2L08T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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