參數(shù)資料
型號： SPB100N06S2L-05
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： SPB100N06S2L-05
2003-05-09
Page 6
SPP100N06S2L-05
SPB100N06S2L-05
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
SPP100N06S2L-05
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
16
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
2.2
V
G
270
μ
A
1.35 mA
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP100N06S2L-05
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB100N08S2-07 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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SPB100UFA 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time
SPB100UFB 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time
SPB10100 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:2 X 100A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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