參數(shù)資料
型號: SPB100N04S2L-03
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 309K
代理商: SPB100N04S2L-03
2003-05-08
Page 3
SPP100N04S2L-03
SPB100N04S2L-03
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=100A
80
160
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
6000
1900
8000 pF
2530
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
-
-
460
12
690
18
V
DD
=20V,
V
GS
=10V,
I
D
=100A,
R
G
=1.1
ns
Rise time
-
75
110
Turn-off delay time
Fall time
-
-
98
72
150
110
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=32V,
I
D
=100A
-
-
19
57
25
85
nC
Gate charge total
V
DD
=32V,
I
D
=100A,
V
GS
=0 to 10V
-
170
230
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=32V,
I
D
=100A
-
3.3
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
100
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
400
V
GS
=0V,
I
F
=100A
-
0.9
1.3
V
V
R
=20V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
80
150
100
190
ns
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP100N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
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SPB100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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