參數(shù)資料
型號(hào)： SPB100N04S2-04
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 309K
代理商： SPB100N04S2-04
2003-05-08
Page 1
SPP100N04S2L-03
SPB100N04S2L-03
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
40
V
m
A
3
100
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Marking
PN04L03
PN04L03
Type
SPP100N04S2L-03 P- TO220 -3-1
Package
Ordering Code
Q67060-S6038
SPB100N04S2L-03 P- TO263 -3-2
Q67060-S6039
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
=25°C
I
D
100
100
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
400
I
D
=80A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
6
I
S
=100A,
V
DS
=32V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP100N06S2L-05 Silver Mica Capacitor; Capacitance:15pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Series:CD6; Voltage Rating:500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:4.4mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
SPB100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPP11N80C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB100N04S204NT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SPB100N04S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB100N06S2-05 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB100N06S205NT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SPB100N06S2L-05 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*