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參數資料
| 型號： | SIGC156T60NR2C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in NPT-technology |
| 中文描述： | 在不擴散核武器條約IGBT芯片技術 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | SIGC156T60NR2C |
SIGC156T60NR2C
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7282-M, Edition 2, 28.11.2003
CHIP DRAWING:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC158T120R3L | IGBT3 Chip |
| SIGC158T120R3 | IGBT3 Chip |
| SIGC158T170R3 | IGBT3 Chip |
| SIGC15T60 | IGBT3 Chip |
| SIGC16T120CL | IGBT Chip in NPT-technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIGC156T60SNR2C | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology 100μm chip |
| SIGC158T120R3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| SIGC158T120R3L | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SIGC158T170R3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC15T60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
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