參數(shù)資料
型號(hào)： SIGC156T120R2CQ
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT Chip in Fieldstop-technology
中文描述： 在場(chǎng)終止IGBT芯片技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： SIGC156T120R2CQ
SIGC156T120R2CQ
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7181Q, 02.06.2005, Edition 1.0
IGBT Chip in Fieldstop-technology
FEATURES:
1200V Fieldstop technology 120μm chip
low turn-off losses
short tail current
positive temperature coefficient
integrated gate resistor
This chip is used for:
IGBT Modules
Applications:
SMPS, resonant applications
G
C
E
Chip Type
V
CE
1200V 100A 12.59 X 12.59 mm
2
sawn on foil SP0000-83655
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
SIGC156T120R2CQ
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
12.59 X 12.59
Emitter pad size
8 x (3.98 x 2.38)
Gate pad size
1.46 x 0.8
Area total / active
158.5 / 132.6
mm
2
Thickness
120
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
grd
Max.possible chips per wafer
82 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metallization
3200 nm Al Si Cu
Collector metallization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al, <500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIGC156T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T120R2C IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T60NR2C IGBT Chip in NPT-technology
SIGC158T120R3L IGBT3 Chip
SIGC158T120R3 IGBT3 Chip
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIGC156T120R2CS 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T60NR2C 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SIGC156T60SNR2C 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology 100μm chip
SIGC158T120R3 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
SIGC158T120R3L 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*