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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SIGC104T170R2C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in NPT-technology |
| 中文描述： | 在不擴(kuò)散核武器條約IGBT芯片技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | SIGC104T170R2C |
SIGC104T170R2C
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7351M, Edition 2, 04.09.2003
CHIP DRAWING:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC109T120R3L | IGBT3 Chip |
| SIGC109T120R3 | IGBT3 Chip |
| SIGC10T60 | IGBT3 Chip |
| SIGC11T60NC | IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC121T120R2CL | IGBT Chip in NPT-technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIGC109T120R3 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3-Pin Die |
| SIGC109T120R3L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC10T60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC10T60S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
| SIGC11T60NC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology |
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