參數資料
型號： SIDC30D120E6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast switching diode chip in EMCON-Technology
中文描述： 快速開關二極管芯片快恢復技術
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： SIDC30D120E6
Preliminary
SIDC30D120E6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4182P, Edition 1, 8.01.2002
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Single pulse forward current
(depending on wire bond configuration)
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
Static Electrical Characteristics
(tested on chip),
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
V
RRM
1200
V
I
F
35
I
FSM
t
P
= 10 ms sinusoidal
tbd
I
FRM
70
A
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=1200V
T
j
=25
°
C
27
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
V
Br
I
R
=2mA
T
j
=25°C
1200
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=35A
T
j
=25
°
C
1.9
V
Dynamic Electrical Characteristics
,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified, tested at component
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Typ.
tbd
max.
Unit
t
rr1
I
F
=35A
T
j
=25°C
Reverse recovery time
t
rr2
di/dt=910A/
m
s
V
R
=600V
I
F
=35A
T
j
=125°C
ns
I
RRM1
T
j
=25°C
36.8
Peak recovery current
I
RRM2
di/dt=910A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125°C
46.3
A
Q
rr1
T
j
=25
°
C
3.55
Reverse recovery charge
Q
rr2
I
F
=35A
di/dt=910A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125
°
C
7.63
μC
di
rr1
/dt
di
rr2
/dt
T
j
=
25
°
C
T
j
=125
°
C
tbd
Peak rate of fall of reverse
recovery current
I
F
=35A
di/dt=910A/
m
s
V
R
= 600V
A/
μ
s
S1
T
j
=25
°
C
tbd
Softness
S2
I
F
=35A
di/dt=910A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125
°
C
1
相關PDF資料
PDF描述
SIDC30D120F6 Fast switching diode chip in EMCON-Technology
SIDC30D120H6 Fast switching diode chip in EMCON-Technology
SIDC30D60E6 Fast switching diode chip in EMCON-Technology
SIDC32D170H Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
SIDC42D120F6 Fast switching diode chip in EMCON-Technology
相關代理商/技術參數
參數描述
SIDC30D120F6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 35A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC30D120H6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 50A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC30D120H6/INF WAF 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SIDC30D60E6 功能描述:DIODE FAST SW 600V 75A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC32D170H 功能描述:DIODE FAST SW 1700V 50A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*