參數(shù)資料
型號： SI6463DQ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 8800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 97K
代理商： SI6463DQ
Si6463DQ Rev. A(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
1020
3040
50
Qg, GATE CHARGE (nC)
ID = -8.8A
VDS = -5V
-10V
-15V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
03
69
12
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CISS
COSS
CRSS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
10s
1s
100ms
100s
RDS(ON) LIMIT
VGS = -4.5V
SINGLE PULSE
RθJA = 208
oC/W
TA = 25
oC
10ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, TIME (sec)
SINGLE PULSE
RθJA = 208°C/W
TA = 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 208 °C/W
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
P(pk)
t1
t2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Si6463DQ
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6463DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 7.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6465DQ-T1 功能描述:MOSFET 8V 8.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6465DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 8.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6465DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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