參數(shù)資料
型號(hào)： SGW50N60HS
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約高高速IGBT的技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
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代理商： SGW50N60HS
SGW50N60HS
Power Semiconductors
8
Rev. 2.1 June 06
V
G
,
G
-
E
0nC
50nC
100nC
150nC
200nC
250nC
0V
3V
6V
9V
12V
15V
480V
120V
c
C
0V
10V
20V
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
=50 A)
t
S
,
S
10V
11V
12V
13V
14V
0μs
5μs
10μs
15μs
I
C
,
C
10V
12V
14V
16V
18V
0A
100A
200A
300A
400A
500A
600A
700A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
=600V
,
start at
T
J
=
25°C
)
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-
emitter voltage
(
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150
°
C)
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