參數(shù)資料
型號： SGW23N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 563K
代理商： SGW23N60UF
SGW23N60UF Rev. A1
S
G
W23N60UF
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
110
100
200
30
100
1000
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
L
o
s
[u
J
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
200
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
200
10
100
200
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Ton
Tr
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
4
8
12
16
20
24
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 23
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Collector Current, I
C [A]
4
8
12
16
20
24
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 23
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Collector Current, I
C [A]
110
30
0
200
400
600
800
1000
1200
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE = 0V, f = 1MHz
T
C = 25
℃
C
a
pac
it
anc
e
[pF
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH7045F 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
SHD118536PB 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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SHL-Q2255 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
SHSPOST-BUILDIN BARRIER POST
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參數(shù)描述
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