參數(shù)資料
型號： SGW23N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 563K
代理商： SGW23N60UF
SGW23N60UF Rev. A1
S
G
W23N60UF
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 25
℃
24A
12A
I
C = 6A
C
o
lle
ct
or
-
E
m
itte
r
Vo
lt
age,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
5
10
15
20
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 21W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
Lo
ad
C
u
rr
ent
[A
]
0.5
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
C
o
llect
o
rC
u
rre
n
t,
I C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
24A
12A
I
C = 6A
C
o
lle
c
to
r-
E
m
itt
e
rV
o
lt
a
g
e
,
V
C
E
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
030
60
90
120
150
0
1
2
3
4
24A
12A
I
C = 6A
Common Emitter
V
GE = 15V
Co
llec
to
r-
Em
it
ter
Vol
tage,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
0246
8
0
20
40
60
80
100
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lec
to
rCu
rr
en
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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