參數(shù)資料
型號: SGW10N60A
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Fast IGBT in NPT-technology
中文描述: 在不擴散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大小: 401K
代理商: SGW10N60A
SGP10N60A, SGB10N60A
SGW10N60A
5
Jul-02
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
G E
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
G E
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
0°C
50°C
100°C
150°C
1,5V
2,0V
2,5V
3,0V
3,5V
I
C
=20A
I
C
=10A
I
C
=5A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 10V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGP20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGP20N60 Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60 CAP 33PF 200V 5% NP0(C0G) AXIAL TR-14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW10N60AFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3
SGW10N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube